| 制造商编号 | MT47H64M8SH-25E:H |
|---|---|
| 制 造 商 | Micron(美光科技) |
| 唯样编号 | A3-MT47H64M8SH-25E:H |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
60-TFBGA
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 异步动态随机存储器(DRAM) | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | DRAM | |
| 时钟频率 | 400MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | |
| 访问时间 | 400ps | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 电压 - 电源 | 1.7 V ~ 1.9 V | |
| 工作温度 | 0°C~85°C(TC) | |
| 封装/外壳 | 60-TFBGA | |
| 存储容量 | 512 Mbit | |
| 数据总线宽度 | 8 bit | |
| 最大时钟频率 | 800 MHz | |
| 电源电压-最大 | 1.9 V | |
| 电源电压-最小 | 1.7 V | |
| 电源电流—最大值 | 95 mA | |
| 系列 | MT47H | |
| 组织 | 64 M x 8 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
整包（请按2000的倍数下单） |
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| 2,000 + | ￥13.796 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 起订量：2,000 | 倍数：2,000 |
卓越稳定性与长寿命，具备出色的耐冲击和抗振动能力，适用于苛刻的工作环境
2512封装，专为高电流、高功率应用设计，具备优异的电气性能和机械稳定性
基于ARM® Cortex-M4F内核，集成DSP与浮点单元（FPU），主频高达120MHz
超微型保险丝，专为低电流精密电路保护设计
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
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MT47H64M8SH-25E:H | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
60-TFBGA |
￥13.796
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0 | 当前型号 | ||||
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MT47H32M16NF-25E:H | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
84-TFBGA |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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MT47H32M16NF-25E:H | Micron | 数据手册 | 异步动态随机存储器(DRAM) |
84-TFBGA |
￥11.6735
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0 | 对比 |
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