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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 105A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.1mΩ@20A,10V | |
| VGS(th) | 3.4 | |
| Ciss(pF) | 6775 | |
| Coss(pF) | 557 | |
| Crss(pF) | 32 | |
| Qg*(nC) | 90* | |
| Qgd(nC) | 13.5 | |
| Td(on)(ns) | 20 | |
| Td(off)(ns) | 48 | |
| Trr(ns) | 50 | |
| Qrr(nC) | 380 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB292L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V ±20V 105A 300W 4.1mΩ@20A,10V -55℃~175℃ |
￥14.6939
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749 | 当前型号 | ||||||||||
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IPB042N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB042N10N3GATMA1_N-Channel 100V 100A(Tc) ±20V 214W(Tc) 4.2mΩ@50A,10V -55°C~175°C(TJ) PG-TO263-3 |
暂无价格 | 1,000 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 N-Channel 405W 175℃ 3V 100V 120A |
￥26.1766
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50 | 对比 | ||||||||||
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BUK765R0-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK765R0-100E_SOT404 N-Channel 349W 175℃ 3V 100V 120A |
￥17.33
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0 | 对比 | ||||||||||
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IPB100N10S3-05 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB100N10S305ATMA1_100V 100A 4.8mΩ 20V 300W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IPB042N10N3GATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB042N10N3 G_N 通道 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -55°C ~ 175°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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