参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 36A | |
Pd-功率耗散(Max) | 125W | |
Qg-栅极电荷 | 30.4nC | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 78mΩ@20A,15V | |
漏源极电压Vds | 900V | |
栅极电压Vgs | -8V,19V | |
上升时间 | 36ns | |
下降时间 | 25ns | |
典型关闭延迟时间 | 28ns | |
典型接通延迟时间 | 21ns | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
正向跨导 - 最小值 | 11.6S | |
通道数量 | 1Channel | |
配置 | Single | |
工作温度 | -55°C~150°C | |
FET类型 | N-Channel |
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¥2
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卓越稳定性与长寿命,具备出色的耐冲击和抗振动能力,适用于苛刻的工作环境
2512封装,专为高电流、高功率应用设计,具备优异的电气性能和机械稳定性
基于ARM® Cortex-M4F内核,集成DSP与浮点单元(FPU),主频高达120MHz
超微型保险丝,专为低电流精密电路保护设计
超小型环境光传感器(ALS),集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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GP3139 | 243,000 |
LMP22D5N3T5G | 120,000 |
AO3401A | 96,000 |
LP2371LT1G | 60,000 |
GP3134K | 24,000 |