| 制造商编号 | DMG1016UDW-7 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A3-DMG1016UDW-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.74nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 60.67pF @ 10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-363 | |
| 连续漏极电流Id | 1.066A,845mA | |
| Pd-功率耗散(Max) | 330mW | |
| Qg-栅极电荷 | 736.6nC,622.4pC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 450mΩ@600mA,4.5V | |
| 漏源极电压Vds | 20V | |
| 栅极电压Vgs | ±6V | |
| 上升时间 | 7.4ns,8.1ns | |
| 下降时间 | 12.3ns,20.72ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 26.7ns,28.4ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.1ns,5.1ns | |
| 系列 | DMG1016 | |
| 通道数量 | 2Channel | |
| 配置 | Dual | |
| FET类型 | N+P-Channel |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| L2N7002LT1G | 30,000 |
| PMZB200UNEYL | 15,500 |
| S-L2N7002SLT1G | 12,000 |
| 2N7002HR | 12,000 |
| LMN2500N3T5G | 10,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-363 1.066A,845mA 330mW 450mΩ@600mA,4.5V 20V ±6V N+P-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.725A |
￥0.9033
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0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290UCEAX | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
PMGD290UCEA_SOT363 N+P-Channel 0.28W 150℃ 0.75V,8V 20V 0.725A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSD235CH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSD235C H6327_N+P-Channel 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 -55°C ~ 150°C(TJ) 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AO7600 | AOS | 数据手册 | 小信号MOSFET |
300mΩ@900mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70 N+P-Channel 20V 0.9A,0.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSD235C H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSD235CH6327XTSA1_20V 950mA,530mA 266mΩ,745mΩ 12V 500mW(1/2W) N+P-Channel -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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