| 制造商编号 | SI4435DYTRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-SI4435DYTRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 60nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2320pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@8A,10V | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 8A | |
| 封装/外壳 | 8-SO |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 243,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥0.9097
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10,661 | 对比 | ||||||||||||
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DMP3036SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 1.4W(Ta) 20mΩ@9A,10V -55°C~150°C(TJ) SO P-Channel 30V 11.4A |
￥1.221
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5,001 | 对比 | ||||||||||||
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AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
￥1.2821
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2,989 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP21321 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V ±25V -11A 3.1W 17mΩ@11A,10V -55°C~150°C |
￥1.5385
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2,667 | 对比 | ||||||||||||
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|
AO4411 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 P-Channel -30V 20V -8A 3.1W 32mΩ@8A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 9 | 对比 |
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