| 制造商编号 | IRLR3410TRPBF | 
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) | 
| 唯样编号 | A-IRLR3410TRPBF | 
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs | 
| 描述 | ±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak | 
参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 | 
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 5V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 79W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ@10A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 17A | |
| 封装/外壳 | D-Pak | 
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| 价格梯度 | 单价(含税) | 
|---|---|
| 暂无价格 | |
| 最小包:2,000 
                                                    制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
                                                 | 交期: 3天-5天 | 
 
                                                    专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计,高效率、高可靠性和高功率密度
 
                                                    可增强GNSS信号灵敏度,适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
 
                                                    创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
 
                                                    低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
 
                                                    专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) | 
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 | 
| LP2371LT1G | 60,000 | 
| GP3134K | 24,000 | 
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 | 
| WSP4445 | 15,000 | 
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET | ±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak | 暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||
|   | AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET | TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V | ¥1.749 
 | 7,200 | 对比 | ||||||||||
|   | DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET | ±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A | ¥1.969 
 | 7,091 | 对比 | ||||||||||
|   | AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET | TO-252 N-Channel 100V 20V 7A 17W 140mΩ@10V | ¥1.1633 
 | 283 | 对比 | ||||||||||
|   | STD6NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET | TO-252-3 | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|   | IRLR3410TRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET | ±16V 79W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 105mΩ@10A,10V N-Channel 100V 17A D-Pak | 暂无价格 | 0 | 对比 |