| 制造商编号 | IRLML2803TRPBF |
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| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRLML2803TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 85pF @ 25V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 85pF @ 25V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@910mA,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 1.2A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10V | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 25V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML2803TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 540mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) 250mΩ@910mA,10V N-Channel 30V 1.2A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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FDV303N | ON Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 350mW(Ta) 450m Ohms@500mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 25V 0.68A 680mA(Ta) 450 毫欧 @ 500mA,4.5V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4147
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59,686 | 对比 | ||||||||||
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ZXM61N03FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
1.4A(Ta) ±20V 625mW(Ta) 220mΩ@910mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V |
￥0.8921
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9,311 | 对比 | ||||||||||
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AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55℃~150℃ |
￥0.6391
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2,187 | 对比 | ||||||||||
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DMN3300U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 700mW(Ta) 150mΩ@4.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥0.7513
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1,985 | 对比 | ||||||||||
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DMN100-7-F | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 500mW(Ta) ±20V SC-59-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 1.1A(Ta) |
￥1.87
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571 | 对比 |
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