| 制造商编号 | IRFS3306TRLPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFS3306TRLPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 60 V 230 W 85 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 120nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4520pF @ 50V | |
| 封装/外壳 | D2PAK | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 160A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.3mΩ | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| Qg-栅极电荷 | 85nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 230W | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 长度 | 10mm | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 9.25mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 230S | |
| 下降时间 | 77ns | |
| 上升时间 | 76ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 40ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15ns |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFS3306TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK 10mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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BUK763R9-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK763R9-60E_SOT404 |
￥15.7496
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100 | 对比 | ||||||||||
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BUK764R4-60E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK764R4-60E_SOT404 |
￥14.6862
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70 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R6-60BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R6-60BS_SOT404 |
￥8.853
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0 | 对比 | ||||||||||
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BUK664R4-55C,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
BUK664R4-55C_SOT404 |
￥16.2383
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0 | 对比 | ||||||||||
|
STB160N75F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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