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功率MOSFET   N-Channel 30V 32A(Ta),169A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),96W(Tc) 2.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8

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制造商编号 IRFH8311TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFH8311TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
N-Channel 30V 32A(Ta),169A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),96W(Tc) 2.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 32A(Ta),169A(Tc)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4960pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 3.6W(Ta),96W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.1mΩ@20A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 PG-TDSON-8
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