| 制造商编号 | IRFH5304TRPBF |
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| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFH5304TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 3.6 W 16 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2360pF @ 10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.35V @ 50µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 41nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2360pF @ 10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.6W(Ta),46W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5mΩ@47A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 22A | |
| 封装/外壳 | 8-PQFN(5x6) |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥3.0924
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0 | 对比 | ||||||||
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AON7424 | AOS | 功率MOSFET |
18A(Ta),40A(Tc) N-Channel ±20V 5.2 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(3x3) 3.1W(Ta),36W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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AON7568 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A(Ta),32A(Tc) N-Channel ±20V 4.6 mΩ @ 20A,10V 8-DFN(3x3) 5W(Ta),28W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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TPN4R303NL,L1Q | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 700mW(Ta),34W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 40A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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