| 制造商编号 | IRFB4310ZPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFB4310ZPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 250W(Tc) | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 150µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 170nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 6860pF @ 50V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6mΩ@75A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 127A | |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFB4310ZPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 250W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@75A,10V N-Channel 100V 127A TO-220AB |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 |
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STP100N10F7 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 7,000 | 对比 |
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STP180N10F3 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN6R5-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN6R5-80PS_SOT78 N-Channel 210W 175°C 3V 80V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPP072N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPP072N10N3GXKSA1_100V 80A 6.2mΩ 20V 150W N-Channel -55°C~175°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN5R6-100PS_SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 100V 100A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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