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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) 58mΩ@4.9A,10V 2W P-Channel 30V 4.9A 8-SO

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制造商编号 IRF7316TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRF7316TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
-55°C~150°C(TJ) 58mΩ@4.9A,10V 2W P-Channel 30V 4.9A 8-SO
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs 58mΩ@4.9A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 710pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 2W
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 4.9A
封装/外壳 8-SO
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价格梯度 单价(含税)

暂无价格

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阶梯数 价格
30: ¥6.3628
50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
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¥6.3628 

阶梯数 价格
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50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
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150°C(TJ) 8-SOP 4.5A 2W 60mΩ 30V

¥6.3628 

阶梯数 价格
30: ¥6.3628
50: ¥4.6667
100: ¥4.1013
500: ¥3.718
1,000: ¥3.6414
2,000: ¥3.5839
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20: ¥4.235
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+1

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