| 制造商编号 | IRF5210STRLPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRF5210STRLPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@38A,10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 38A |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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IRF5210STRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3 P-Channel 60mΩ@38A,10V 3.1W(Ta) -55°C~150°C ±20V 100V 38A |
暂无价格 | 800 | 当前型号 | ||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
暂无价格 | 1,045 | 对比 | ||||||||
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RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
25A 50W 45mΩ@-25A,-10V -100V ±20V TO-263-3 -55°C~150°C P-Channel |
￥19.514
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90 | 对比 | ||||||||
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AUIRF5210STRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF5210STRRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3.1W(Ta),170W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 60mΩ@38A,10V P-Channel 100V 38A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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