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功率MOSFET   -55°C~175°C(TJ) 103A 11.6mΩ 333W

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制造商编号 IRF3610STRLPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRF3610STRLPBF
供货 自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET IRF3610STRLPBF, 103 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5380pF @ 25V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 103A
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.6mΩ
最小栅阈值电压 2V
引脚数目 3
类别 功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max) 333W
正向跨导 110S
正向二极管电压 1.3V
每片芯片元件数目 1 Ohms
宽度 9.65mm
系列 HEXFET
典型关断延迟时间 77 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 4.83mm
长度 10.67mm
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