制造商编号 | AUIRLR3410TR |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-AUIRLR3410TR |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
AUIRLR3410 Series 100 V 105 mOhm Surface Mount HEXFET® Power MOSFET - TO-252-3
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 34nC | |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 5V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 800pF | |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V | |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
通道数量 | 1Channel | |
连续漏极电流Id | 17A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 105mΩ | |
栅极电压Vgs | 16V | |
配置 | SingleQuintSource | |
Pd-功率耗散(Max) | 79W | |
高度 | 2.3mm | |
长度 | 6.5mm | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 6.22mm | |
正向跨导 - 最小值 | 7.7S | |
下降时间 | 26ns | |
上升时间 | 53ns | |
典型关闭延迟时间 | 30ns | |
典型接通延迟时间 | 7.2ns | |
漏源极电压Vds | 100V | |
Qg-栅极电荷 | 34nC |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,000
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交期: 请咨询客服 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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AUIRLR3410TR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.5mm |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
¥2.112
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5,447 | 对比 | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
¥2.607
|
1,444 | 对比 | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
¥7.6851
|
1,332 | 对比 | |||||||||||||
AOD2922 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
¥1.1633
|
283 | 对比 |