制造商编号 | AUIRL3705N |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-AUIRL3705N |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL3705N, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
连续漏极电流Id | 89A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ | |
最小栅阈值电压 | 1V | |
引脚数目 | 3 | |
晶体管配置 | 单 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
Pd-功率耗散(Max) | 170W | |
每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
长度 | 10.66mm | |
高度 | 16.51mm | |
系列 | HEXFET | |
宽度 | 4.82mm | |
晶体管材料 | Si | |
典型关断延迟时间 | 37 ns | |
典型接通延迟时间 | 12 ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |