| 制造商编号 | AUIRF7316QTR |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-AUIRF7316QTR |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF7316QTR, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 34nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 710pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 连续漏极电流Id | 4.9A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| 正向跨导 | 7.7S | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms | |
| 系列 | HEXFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.50mm | |
| 产品特性 | 车规 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：4,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AUIRF7316QTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 4.9A 90mΩ 2W 车规 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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AUIRF7316Q | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 58mΩ@4.9A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) 8-SO 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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