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通用MOSFET   PQFN2x2

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制造商编号 IRFHS9351
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFHS9351
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:-30V 封装/外壳:PQFN 2 x 2 Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ FET类型:2P-Channel 栅极电压Vgs:20V
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商品目录 通用MOSFET
Moisture Level 1 Ohms
漏源极电压Vds -30V
封装/外壳 PQFN 2 x 2
Tj max 150.0°C
QG 1.9nC
Budgetary Price €€/1k 0.19
Rds On(Max)@Id,Vgs 290mΩ
Qgd (typ) 1.1nC
FET类型 2P-Channel
栅极电压Vgs 20V
RthJA max 90.0K/W
Ptot (@ TA=25°C) max 1.4W
连续漏极电流Id -1.5A
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