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功率MOSFET   16.13mm

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制造商编号 IPW65R037C6
商品别名 IPW65R037C6FKSA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IPW65R037C6
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:83.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:33mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):500W
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 650V
连续漏极电流Id 83.2A
Rds On(Max)@Id,Vgs 33mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 330nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 500W
高度 21.1mm
长度 16.13mm
系列 CoolMOSC6
FET类型 N-Channel
宽度 5.21mm
下降时间 7ns
上升时间 32ns
典型关闭延迟时间 140ns
典型接通延迟时间 22ns
工作温度 -55°C~150°C
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