制造商编号 | IPP023NE7N3 G |
---|---|
商品别名 | IPP023NE7N3GXKSA1 |
制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A-IPP023NE7N3 G |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
漏源极电压Vds:75V 连续漏极电流Id:120A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.1mΩ 栅极电压Vgs:20V Pd-功率耗散(Max):300W
|
PDF资料下载 |
---|
参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
---|---|---|
商品目录 | 功率MOSFET | |
通道数量 | 1Channel | |
漏源极电压Vds | 75V | |
连续漏极电流Id | 120A | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.1mΩ | |
栅极电压Vgs | 20V | |
Qg-栅极电荷 | 206nC | |
配置 | Single | |
Pd-功率耗散(Max) | 300W | |
高度 | 15.65mm | |
长度 | 10mm | |
系列 | OptiMOS3 | |
FET类型 | N-Channel | |
宽度 | 4.4mm | |
正向跨导 - 最小值 | 98S | |
下降时间 | 22ns | |
上升时间 | 26ns | |
典型关闭延迟时间 | 70ns | |
典型接通延迟时间 | 19ns | |
工作温度 | -55°C~175°C |
A : 请您放心,唯样商城所售卖的商品均为原装正品,我们是国内外知名品牌厂商的电子元件授权经销商,从源头保证品质。
A : 唯样自营精选品牌获得原厂授权代理资质,可以提供代理证书。部分商品数据来源于合作伙伴(如信和达、富昌电子、RS电子),我们对产品都进行了严格的资质审核,拥有原厂标签和相关票据以供查验。
A : 我们提供线下付款服务,方便公司的采购与财务对接,具体操作流程可在线咨询客服。
A : 下单前请仔细核对产品型号信息,如因自身原因造成的误订错订,唯样将不接受退换货要求。如果产品出现数量不对、型号不符、产品质量问题时,请务必保留原包装和标签,并在两周内联系我们申请退货。
价格梯度 | 单价(含税) |
---|---|
暂无价格 |
最小包:500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
|
交期: 请咨询客服 |
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
---|---|
AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |