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功率MOSFET   10mm

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制造商编号 IPB123N10N3 G
商品别名 IPB123N10N3GATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IPB123N10N3 G
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
工作温度:-55°C~175°C(TJ) 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:58A Rds On(Max)@Id,Vgs:10.7mΩ 栅极电压Vgs:20V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 50V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
漏源极电压Vds 100V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V
通道数量 1Channel
连续漏极电流Id 58A
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.7mΩ
栅极电压Vgs 20V
Qg-栅极电荷 35nC
配置 Single
Pd-功率耗散(Max) 94W
高度 4.4mm
长度 10mm
系列 OptiMOS3
FET类型 N-Channel
宽度 9.25mm
正向跨导 - 最小值 29S
下降时间 5ns
上升时间 8ns
典型关闭延迟时间 24ns
典型接通延迟时间 14ns
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