| 制造商编号 | IPA60R210CFD7 |
|---|---|
| 商品别名 | IPA60R210CFD7XKSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPA60R210CFD7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| Moisture Level | NA | |
| 连续漏极电流Id | 7A | |
| QG (typ @10V) | 23.0 nC | |
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| Budgetary Price €/1k | 0.94 | |
| Ptot max | 25.0 W | |
| FET类型 | N-Channel | |
| IDpuls max | 42.0 A | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ | |
| Pin Count | 3.0 Pins | |
| 栅极电压Vgs | 3.5V,4.5V | |
| Mounting | THT | |
| Special Features | fast recovery diode |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 21W |
| 起订量： 500 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| NCE30P15S | 72,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| PJQ4476AP-AU_R2_000A1 | 20,000 |
| WSP4445 | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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29 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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