| 制造商编号 | SI2302DDS-T1-GE3 |
|---|---|
| 制 造 商 |
Vishay(威世)
授权代理品牌
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| 唯样编号 | A-SI2302DDS-T1-GE3 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
SI2302DDS Series N-Channel 20 V 2.6 A 0.067 O 3.5 nC SMT Mosfet - SOT-23 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 系列 | TrenchFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 850mV @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.5nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±8V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 710mW(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 2.9A | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 57mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 0.85V |
无卤
TrenchFET® 功率 MOSFET
通过 100 % Rg 测试
应用
负载开关，用于便携式设备
直流/直流转换器
无卤
TrenchFET® 功率 MOSFET
通过 100 % Rg 测试
应用
负载开关，用于便携式设备
直流/直流转换器
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
18W
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
集成了高边和低边功率MOSFET的同步降压稳压器，3V~24V宽输入电压、24A连续输出电流
极低的正向压降（低至1.45V）和超快的反向恢复时间（最短 45 ns）
超小型环境光传感器(ALS)，集成16位高分辨率ADC和Filtron™光学滤波技术
高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压
紧凑型透射式传感器，符合车规AEC-Q101标准
PCN SIL-0172020 SQS411ENW DS Revision from A to B 07072020
PCN SIL-0162020 SQM120P06-07L DS Revision from B to C
PCN SIL-0152020 SQM120P04-04L DS Revision from B to C
PCN-DD-019-2020 Rev 0_Additional Wafer Source for Bi SMX TVS Products
PCN-DD-014-2020 Rev 0_MicroSMF PLZ series bonding wire change
Private copy of PCN-DD-006-2020---Vishay
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LN4812LT1G | 270,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 213,955 |
| 2N7002BK，215 | 201,100 |
| BSS84AK,215 | 126,010 |
| S-L2N7002SLT1G | 60,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±8V 710mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 2.9A 57mΩ 0.85V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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AO3494 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V 8V 3A 1.4W 62mΩ@4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.0812
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33,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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19,416 | 对比 | ||||||||||||||||
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RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±10V 540mW(Ta) 105mΩ@2A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 20V 2A |
￥2.5394
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5,772 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDV305N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
900mA(Ta) ±12V 350mW(Ta) 220m Ohms@900mA,4.5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23 N-Channel 20V 0.9A SOT-23-3 |
￥0.5759
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1,426 | 对比 |
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