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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN 100A 50W 1.4mΩ 30V 1V

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制造商编号 DMT32M5LFG-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMT32M5LFG-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN 100A 50W 1.4mΩ 30V 1V
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 67.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4066pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-PowerVDFN
连续漏极电流Id 100A
Pd-功率耗散(Max) 50W
Qg-栅极电荷 67.7nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.4mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 1V
上升时间 13.2ns
下降时间 23.9ns
典型关闭延迟时间 37.4ns
典型接通延迟时间 7.2ns
通道数量 1Channel
配置 Single
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