| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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数据手册 |
10A 2W 8.8mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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数据手册 |
±20V 2.8W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 20A 15.5W 15mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
±25V 2.6W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 14.6mΩ@11A,10V N-Channel 30V 11A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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数据手册 |
±20V 2.8W(Ta),25W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 12.4mΩ@12A,10V N-Channel 30V 12A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 10A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 9.9nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.8mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 17ns | |
| 下降时间 | 6ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 31ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7ns | |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |