图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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数据手册 |
±8V 200mW(Ta) 2.2Ω@200mA,4.5V 150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 600mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 50V 500mA(Ta) |
¥0.5356
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25,573 | 对比 | |||||||||||
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N-Channel 50V 220mA(Ta) ±12V 350mW(Ta) 1.6 Ohms@50mA,5V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1.6 欧姆 @ 50mA,5V -55°C ~ 150°C(TJ) |
¥0.5759
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5,435 | 对比 | ||||||||||||
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数据手册 |
±20V 350mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -65°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A |
暂无价格 | 2 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
±20V 350mW(Ta) 2Ω@50mA,5V -65°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 50V 0.3A |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 600mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 50V 500mA(Ta) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.2V,4.5V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 25pF @ 10V | |
栅极电压Vgs | ±8V | |
Pd-功率耗散(Max) | 200mW(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.2Ω@200mA,4.5V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SOT-23 | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 50V | |
连续漏极电流Id | 0.2A |
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高精度电流检测,具备-14V~+80V的宽共模电压范围,可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器,适用于高精度电流监测场景
低开关损耗,低导通电阻,小型芯片尺寸,实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD(静电放电)保护,保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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L2SK3018WT1G | 381,001 |
L2N7002LT1G | 210,550 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 60,000 |
S-L2N7002SLT1G | 51,000 |
PMZ600UNEYL | 15,000 |