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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 9A(Ta) | |
| FET类型 | P-Channel | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 15.4mOhms@9A,10V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V@1mA | |
| 栅极电荷Qg | 56nC@10V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 650mW(Ta) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | |
| 工作温度 | 150℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 30V |
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专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片，每个通道都能提供最大1A的输出电流
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| CQA34P01 | 381,000 |
| AONR21357_203 | 60,000 |
| PXN012-60QLJ | 15,190 |
| PJA3438-AU_R1_000A1 | 12,000 |
| LN1482WT1G | 9,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RRH090P03GZETB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
9A(Ta) P-Channel 2.5V@1mA 650mW(Ta) 8-SOIC 150℃(TJ) 30V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
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TPC8125,LQ(S | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1W(Ta) 8-SOP 150°C(TJ) 30 V 10A(Ta) |
￥2.9418
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859 | 对比 | ||||||||
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IRF9328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 11.9mΩ@12A,10V P-Channel 30V 12A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF9388PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
P 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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DMP3035LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±25V 2W(Ta) 16mΩ@8A,10V -55°C~150°C(TJ) SOP P-Channel 30V 11A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
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IRF7424TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 13.5mΩ@11A,10V P-Channel 30V 11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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