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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 2A | |
| 功率耗散Pd | 900mW | |
| 导通电阻Rds(On) | 110mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 12V | |
| 上升时间 | 10ns | |
| 下降时间 | 10ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 21ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8ns | |
| 宽度 | 1.60mm | |
| 封装/外壳 | TSMT-5 | |
| 系列 | QS5U12 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 工作温度 | -40°C~125°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
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| 起订量： 3,000 | 倍数：1 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS84LT1G | 600,000 |
| LMN2500N3T5G | 50,000 |
| L2N7002KN3T5G | 50,000 |
| PMV130ENEAR | 27,000 |
| LBSS8402DW1T1G | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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QS5U12TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A 900mW 110mΩ 30V 12V TSMT-5 -40°C~125°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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QS5U13TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A 900mW 110mΩ 30V 12V TSMT-5 -50°C~150°C |
￥5.0596
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3,000 | 对比 | ||||||||||
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QS5U13TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A 900mW 110mΩ 30V 12V TSMT-5 -50°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||||||
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QS5U13TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A 900mW 110mΩ 30V 12V TSMT-5 -50°C~150°C |
￥4.2074
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100 | 对比 | ||||||||||
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QS5U13TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2A 900mW 110mΩ 30V 12V TSMT-5 -50°C~150°C |
暂无价格 | 96 | 对比 |
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