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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 20A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3W | |
| Qg-栅极电荷 | 16.8nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.6mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 7.2ns | |
| 下降时间 | 8.4ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 34.7ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13.2ns | |
| 封装/外壳 | HSOP-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 18S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
低集电极和发射极饱和电压，内置非常快速和软恢复的 FRD
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 345,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,105 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| JMPL1050AG-13 | 20,000 |
| NCEP092N10AS | 16,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
20A 3W 4.6mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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IRFHM830TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.7W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.8mΩ@20A,10V N-Channel 30V 21A PQFN(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC042N03LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC042N03LSGATMA1_30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC050N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC050N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMTH3004LPS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 3.2W(Ta),136W(Tc) +20V,-16V PowerDI5060-8 -55℃~175℃(TJ) 30V 22A(Ta),145A(Tc) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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BSC883N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC883N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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