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功率MOSFET   5.9mm

图像仅供参考 请参阅产品规格
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制造商编号 BSC028N06NS
商品别名 BSC028N06NSATMA1
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-BSC028N06NS
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
系列:OptiMOS™
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
通道数量 1Channel
漏源极电压Vds 60V
连续漏极电流Id 100A
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ
栅极电压Vgs 10V
Qg-栅极电荷 37nC
配置 SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max) 83W
高度 1.27mm
长度 5.9mm
FET类型 N-Channel
宽度 5.15mm
正向跨导 - 最小值 50S
下降时间 8ns
上升时间 38ns
典型关闭延迟时间 19ns
典型接通延迟时间 11ns
工作温度 -55°C~150°C
系列 OptiMOS™
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