| 制造商编号 | IRFR024NTRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRFR024NTRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 20nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 370pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 75mΩ@10A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 连续漏极电流Id | 17A | |
| 漏源极电压Vds | 55V | |
| 封装/外壳 | D-Pak |
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-5天 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 45W(Tc) 75mΩ@10A,10V -55°C~175°C(TJ) N-Channel 17A 55V D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 当前型号 | ||||||||||
|
STD16NF06T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||
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STD12NF06LT4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-252-3 |
暂无价格 | 5,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 80mΩ@3.3A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 100V 17A |
￥2.09
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4,812 | 对比 | ||||||||||
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ZXMN6A08KTC | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 2.12W(Ta) ±20V TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 60V 5.36A(Ta) |
￥2.1879
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4,700 | 对比 | ||||||||||
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 60V ±20V 12A 20W 60mΩ@12A,10V -55℃~175℃ |
￥1.595
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4,310 | 对比 |
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