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第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性（参考阅读：CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述，CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析），今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
1200V 500A NPC2三电平模块，采用EasyPACK™ 3B封装和最新开发的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7和Emcon 7芯片技术。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。
英飞凌科技正在推动电源供应架构的革新，以满足未来的AI数据中心需求。英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800V高压直流（HVDC）架构所需的下一代电源系统。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器，两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
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