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功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-19 51 0 0 功率器件 , 英飞凌工业应用
功率器件热设计基础（一）——功率半导体的热阻

功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。

2024-11-19 99 0 0 功率半导体 , 英飞凌工业应用
英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。

2024-11-14 140 0 0 硅功率晶圆 , 英飞凌工业应用
如何利用英飞凌MOTIX™ embedded power硬件机制标定小电机ECU

英飞凌MOTIX™ MCU专为实现一系列电机控制应用的机电电机控制解决方案而设计。。。

2024-11-12 178 2 2 小电机ECU , 英飞凌工业应用
采用IGBT5.XT技术的PrimePACK™为风能变流器提供卓越的解决方案

英飞凌PrimePACK™产品采用IGBT5.XT技术（FF1800R17IP5），堪称应对各项挑战的卓越解决方案。

2024-10-24 187 1 1 风能变流器 , 英飞凌工业应用
采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器

REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。。。

2024-10-24 128 1 1 伺服电机 , 驱动器 , 英飞凌工业应用
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平

2024-10-12 155 1 1 氮化镓功率半导体 , 英飞凌工业应用
基于Infineon XMC1400搭配CoolSiC™ Mosfet 实现3.3KW高功率密度双向图腾柱PFC数字电源方案

随着社会经济发展、能源结构变革，近几年全球对家用储能系统的需求量一直保持相当程度的增长。

2024-09-25 196 1 1 Infineon , 英飞凌工业应用
900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模块

EconoDUAL™ 3 FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪结构，针对开放式液冷散热器应用进行了优化，以实现更高的功率密度和更长的使用寿命。。。

2024-09-24 87 1 1 IGBT7 模块 , 英飞凌工业应用
系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析

本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiC MOS开关开通时的过流机理，以及开通电流振荡的原因。

2024-09-24 249 1 1 SiC器件开关 , 英飞凌工业应用