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氮化镓（GaN）功率半导体正处于高速增长轨道，覆盖消费电子、太阳能、储能系统、电动汽车和AI数据中心等多个核心领域，成为实现净零排放与可持续发展的关键技术。
CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中，该二极管可实现更高的效率和设计简化。
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
英飞凌76mm晶闸管功率启动器（1600V和1800V，3400A）模块采用压装技术，适用于软启动应用，是一种经济高效的全集成解决方案，过载电流最高可达5100A。
IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。
英飞凌于近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计，此举曾引发外界对其硅基氮化镓（GiT）技术承诺的担忧。
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