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碳化硅直播季首场直播收获了过万的观看量,“打铁需趁热”,第一期话题直直戳中了可靠性这个核心战场,第二期就必须得火力全开,带您探索怎么把碳化硅的优势发挥到极致。
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。
英飞凌推出采用Multi-Sense技术的Arm® Cortex®-M0+ 微控制器(MCU)——PSOC™ 4100T Plus。
英飞凌科技正在推动电源供应架构的革新,以满足未来的AI数据中心需求。英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800V高压直流(HVDC)架构所需的下一代电源系统。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器,两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
英飞凌推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。
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