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无电解电容变频控制方案是一种低成本的永磁同步电机（PMSM）控制技术。在硬件电路板中，采用低成本的 CBB 电容替代了传统的电解电容，不仅有效降低了方案成本，还显著延长了使用寿命。
第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
近日，公司宣布其在 300mm晶圆上的可扩展GaN生产已步入正轨。随着首批样品将于2025年第四季度向客户提供，英飞凌有望扩大客户群体，并进一步巩固其作为领先氮化镓巨头的地位。
对于每一位从事电力电子技术的工程师来说，功率半导体，包括二极管和三极管，虽然其基本功能看似简单，但要真正掌握并驾驭其特性却是一项极具挑战性的工作。
您准备好在数据中心充分释放人工智能 (AI) 的潜力了吗？欢迎收看英飞凌AI系列网络研讨会，探讨AI应用的电源转换和电池备用装置的最新趋势和创新。
英飞凌推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性（参考阅读：CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述，CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析），今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。
英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。
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