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氮化镓(GaN)功率半导体正处于高速增长轨道,覆盖消费电子、太阳能、储能系统、电动汽车和AI数据中心等多个核心领域,成为实现净零排放与可持续发展的关键技术。
● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术,英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施,英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
近日,快充行业领导者安克发布了全氮化镓 120W 充电器,它采用了安克联合英飞凌全球首发的 HFB 架构,搭载 Power IQ4.0 动态功率分配技术
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