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英飞凌科技正在推动电源供应架构的革新,以满足未来的AI数据中心需求。英飞凌携手NVIDIA正在开发采用集中式电源供电的800V高压直流(HVDC)架构所需的下一代电源系统。
该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器,两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。
氮化镓(GaN)功率半导体正处于高速增长轨道,覆盖消费电子、太阳能、储能系统、电动汽车和AI数据中心等多个核心领域,成为实现净零排放与可持续发展的关键技术。
CoolSiC™肖特基二极管10-80A 2000V G5系列现在也采用TO-247-2封装。在高达1500V的高直流母线系统中,该二极管可实现更高的效率和设计简化。
2025年3月22日,西北工业大学校园里上演了一场充满科技美感的"指尖艺术秀"。由共青团西北工业大学委员会主办,学生电子爱好者协会承办,厦门唯样科技有限公司(ONEYAC)赞助的第十六届"唯样杯"电子焊接大赛火热开赛。。。
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。
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