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2025年3月22日，西北工业大学校园里上演了一场充满科技美感的"指尖艺术秀"。由共青团西北工业大学委员会主办，学生电子爱好者协会承办，厦门唯样科技有限公司（ONEYAC）赞助的第十六届"唯样杯"电子焊接大赛火热开赛。。。
采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
英飞凌76mm晶闸管功率启动器（1600V和1800V，3400A）模块采用压装技术，适用于软启动应用，是一种经济高效的全集成解决方案，过载电流最高可达5100A。
3月21日，唯样ONEYAC联合全球连接器巨头泰科电子（TE Connectivity），即将开展一场新能源界的“技术Party”，光伏、储能、新能源汽车…三电玩家速来集合！
IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优化的开关性能。
英飞凌于近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技术用于新设计，此举曾引发外界对其硅基氮化镓（GiT）技术承诺的担忧。
采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。
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