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英飞凌推出高速吹风机解决方案，采用PSOC™ Control C3 MCU和CoolGaN™技术，实现高转速、低噪音、高效能电机控制。
英飞凌近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。
本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。
大家对氢元素肯定都不陌生，认识它基本都是从背元素周期表开始的。近年来我们身边多了很多氢的身影，从北京冬奥会的氢燃料电池大巴，再到广州南沙小虎岛电氢智慧能源站，氢也越来越被大家熟知。
英飞凌近日宣布与台达电子工业股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）强化既有合作伙伴关系，共同开发高功率密度电源模块，为超大型数据中心的AI处理器提供领先的垂直供电解决方案。
第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。
第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
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