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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。
● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
全球推进低碳化的举措拉动了对功率半导体的市场需求。顺应这一趋势，英飞凌科技股份公司宣布，其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营，建设完成后该工厂将成为全球最大且最具竞争力的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂。
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