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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日推出专为保护48V汽车数据通信网络设计的ESD二极管,旨在使其免受静电放电(ESD)事件的破坏性影响。
Nexperia推出车规级碳化硅 MOSFET,具备行业领先的品质因数和行业领先的温度稳定性,可实现更高的输出功率,为客户带来显著的成本优势。采用SMD封装技术,降低散热要求,提高能效。
Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。
Nexperia(安世半导体)近日宣布推出一系列高性能栅极驱动器IC,可用于驱动同步降压或半桥配置中的高边和低边N沟道MOSFET。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布推出NXF6501-Q100、NXF6505A-Q100和NXF6505B-Q100。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合,并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。
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