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英飞凌碳化硅SiC技术创新的四大支柱综述（一）

IGBT在大功率电力电子行业的应用是在20年前发展起来的，当年主要应用在工业电源、UPS和变频器等有限领域。

2025-06-25 114 0 0 碳化硅 , SIC , 英飞凌
英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

2025-06-25 35 0 0 SiC MOSFET , MOS管 , 英飞凌工业应用
新品 | 6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET半桥电路

该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器，两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。

2025-06-06 84 0 0 栅极驱动器 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。

2025-06-05 85 0 0 碳化硅 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

2025年4月24日ROHM宣布，推出 4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。

2025-04-24 163 1 1 ROHM , SiC模块 ,
英飞凌QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新推出的CoolSiC™ MOSFET 750V G1是一个高度可靠的SiC MOSFET系列，具有最佳的系统性能和可靠性。

2025-02-26 142 1 1 MOSFET , SiC MOSFET , 英飞凌
GaN还是SiC，电气工程师该如何选择？

氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。

2025-01-17 678 1 1 GaN , SiC , 英飞凌工业应用
唯样 x 瞻芯电子强强联手，助力SiC功率半导体国产化替代

近日，唯样正式获得瞻芯电子原厂官方授权，双方搭建深度合作关系，唯样作为瞻芯电子国内样品服务中心，未来将与瞻芯电子携手开拓更多市场客户，为更多客户提供优质的产品及高效的服务。

2024-11-28 234 0 0 瞻芯电子 , 唯样 , SiC功率半导体
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管

采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管 ~与普通产品相比，可确保约1.3倍的爬电距离。即使是表贴型也无需进行树脂灌封绝缘处理~

2024-11-13 205 0 0 SiC肖特基势垒二极管 , ROHM
科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™

罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管被科索生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。

2024-10-30 177 0 0 EcoSiC™ , 罗姆 , 科索