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“MOS” 相关的文章

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

2025年10月16日——全球知名半导体制造商ROHM今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。

2025-10-16 154 0 0 ROHM , SiC MOSFET
英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

英飞凌近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。

2025-09-26 97 1 1 MOSFET , 英飞凌工业应用
MDD系列MOS，提升新国标电动自行车充电效率与安全性

部分电动自行车用户长期面临充电安全隐患，根源在于充电器产品缺乏强制认证标准，导致大量劣质配件通过非正规渠道流入市场，引发充电起火、电池爆炸等安全事故。

2025-09-25 121 0 0 MDD , MOS , 分立器件
英飞凌 | CoolSiC™ 2000V SiC 沟槽栅MOSFET定义新能源应用中功率密度增强的新基准

本文介绍了新的CoolSiC™ 2000V SiC沟槽栅MOSFET系列。该系列单管产品采用新的TO-247PLUS-4-HCC封装，具有加大的爬电距离和电气间隙，使用.XT焊接芯片技术。

2025-09-19 304 1 1 MOSFET , 功率器件 , 英飞凌工业应用
Vishay | MOSFET 的顶部散热：与 PCB 和双面散热相比，散热管理更出色

本文将重点阐述顶部散热相较于传统 PCB 散热及双面散热方案所具有的核心优势。

2025-09-16 159 4 4 MOSFET , PCB , Vishay
新一代电源设计：基于FRD MOSFET的高效、高可靠设计解决方案

本篇文章阐述了工程师在应用超结功率器件时需关注的关键问题，并提出了一种优化解决方案，可显著提升电源应用的效率、功率密度及可靠性。

2025-09-11 228 4 4 FRD MOSFET , AOS
英飞凌 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。

2025-08-28 214 1 1 SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
IPAC碳化硅直播季丨CoolSiC™ MOSFET并联技术和驱动设计深度指南

今年IPAC碳化硅直播季，英飞凌“攻城狮”强势集结，从器件性能、系统应用价值、设计要点层层递进。。。

2025-08-20 125 1 1 MOSFET , 碳化硅 , 直播 , 英飞凌
新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。

2025-08-12 208 1 1 MOSFET G2 , 碳化硅 , 英飞凌工业应用
CoolSiC™ MOSFET G2如何正确选型

之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性（参考阅读：CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述，CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析），今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。

2025-07-22 145 3 3 MOSFET G2 , MOSFET , 英飞凌工业应用