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“IC” 相关的文章

英飞凌碳化硅SiC技术创新的四大支柱综述（一）

IGBT在大功率电力电子行业的应用是在20年前发展起来的，当年主要应用在工业电源、UPS和变频器等有限领域。

2025-06-25 137 0 0 碳化硅 , SIC , 英飞凌
英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

2025-06-25 54 1 1 SiC MOSFET , MOS管 , 英飞凌工业应用
ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

ROHM今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型提升了收敛性和仿真速度。

2025-06-13 66 0 0 ROHM , 新SPICE模型
新品 | 6.5A，5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET半桥电路

该电路板包括两个1ED314xMC12H隔离栅极驱动器，两个IMZA120R020M1H CoolSiC™ 1200V SiC沟槽SiC MOSFET。

2025-06-06 100 1 1 栅极驱动器 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
碳化硅何以英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相

在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。

2025-06-05 95 1 1 碳化硅 , SiC MOSFET , 英飞凌工业应用
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产

ROHM今日宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。

2025-05-27 68 0 0 ROHM , 驱动器IC
英飞凌亮相SEMICON China 2025：以SiC、GaN技术引领低碳化与数字化未来

在刚刚落幕的SEMICON China 2025上，全球半导体行业再度汇聚上海，共同探讨产业未来。本届展会以“跨界全球•心芯相联”为主题，覆盖芯片设计、制造、封测、设备及材料等全产业链，充分展现了半导体技术的最新突破与创新趋势。

2025-05-21 114 1 1 SEMICON China 2025 , 英飞凌
ROHM推出高功率密度的新型SiC模块，将实现车载充电器小型化！

2025年4月24日ROHM宣布，推出 4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。

2025-04-24 163 1 1 ROHM , SiC模块 ,
英飞凌QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新推出的CoolSiC™ MOSFET 750V G1是一个高度可靠的SiC MOSFET系列，具有最佳的系统性能和可靠性。

2025-02-26 142 1 1 MOSFET , SiC MOSFET , 英飞凌
扩大了负载开关IC产品阵容 3A配备理想二极管功能XC8114系列

特瑞仕半导体开发了负载开关IC的新产品，带有理想二极管功能的XC8114系列。

2025-02-21 273 0 0 特瑞仕 , 负载开关IC