Vishay 宣布新增五款不同尺寸和力度级别的器件,扩充采用电磁阀结构的 IHPT 触控反馈执行器产品线(带 Immersion 公司许可证)。
第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)近日推出五款高性能1 V 保护二极管,可为交流耦合射频(RF)传输线路提供优化保护,有效防护静电放电(ESD)、浪涌电流及短路。
威世科技宣布,其 LTO 系列厚膜功率电阻器新增一款通过 AEC-Q200 认证的器件,该产品具有更高的脉冲吸收能力,可达 75 J/0.1 s。Vishay Sfernice LTO 150H 采用夹片式 TO-247 封装形式,可直接安装在散热器上,在 + 45 °C 外壳温度下可提供 150 W 的高功率散热。
英飞凌推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓(GaN)开关——650V CoolGaN™ G5双向开关(BDS)。
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