在碳中和目标推动下，太阳能发电系统正迅速普及。其中，微型太阳能逆变器作为分布式光伏系统的核心部件，对效率、可靠性和体积都提出了极高要求。尤其是在高温、高湿、高辐照的复杂户外环境中，其内部功率器件的性能会影响系统的发电效率和寿命。

微型太阳能逆变器通常直接安装在光伏组件背面，工作环境恶劣，对元器件的高温耐受性、开关损耗和可靠性都提出了严峻挑战。尤其是在MPPT(最大功率点跟踪)和DC-AC转换环节中，MOS需频繁开关，其导通损耗、开关特性以及二极管的反向恢复性能，直接影响整机效率和发热情况。

MDD推出的MDDG10R04P，100V N沟道增强型功率MOS，有优异的电气性能和可靠性，成为微型太阳能逆变器中的理想开关器件，帮助系统实现更高转换效率和更长的使用寿命。

传统MOSFET在高温环境下导通电阻上升明显，开关速度慢，反向恢复电荷(Qrr)大，容易导致效率下降和EMI问题。而MDDG10R04P通过屏蔽栅技术和优化的工艺设计，有效解决了这些痛点。

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极低的导通电阻

在VGS=10V、ID=100A的条件下，RDS(ON)最大仅为4.4 mΩ，典型值低至3.2 mΩ。这意味着在相同电流下导通损耗更小，系统温升更低，尤其适用于高温环境下的持续运行。

02

优异的开关性能

开关延迟时间短（开启≈25ns，关闭≈45ns），上升/下降时间快（tr≈55ns，tf≈16ns）

低栅极电荷（Qg≈52nC），驱动简单，可降低驱动电路损耗。

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出色的体二极管特性

反向恢复电荷（Qrr）仅为100nC；  

反向恢复时间（trr）短至85ns；  

显著降低反向恢复损耗和EMI干扰，适用于高频整流和同步整流应用。

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高可靠性设计

100%经过UIS测试，抗雪崩能力强；  

工作结温范围-55℃至+150℃，适应户外严苛环境；  

符合RoHS标准，满足环保要求。

在微型太阳能逆变器中，MOSFET常用于Boost升压电路和全桥/半桥逆变拓扑。MDDG10R04P凭借自身具备的：高效率转换、更小的散热设计、高可靠性、良好的EMI特性，保障了电路平稳运行。

除MDDG10R04P外，MDD还新推出一系列MOS针对不同的应用场景，提供多封装如TOLL、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等，以满足各行业匹配需求