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MDD | 别再为微型逆变器性能头疼!MDDG10R04P效率与可靠性的关键解法

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微型太阳能逆变器通常直接安装在光伏组件背面,工作环境恶劣,对元器件的高温耐受性、开关损耗和可靠性都提出了严峻挑战。

在碳中和目标推动下,太阳能发电系统正迅速普及。其中,微型太阳能逆变器作为分布式光伏系统的核心部件,对效率、可靠性和体积都提出了极高要求。尤其是在高温、高湿、高辐照的复杂户外环境中,其内部功率器件的性能会影响系统的发电效率和寿命。


微型太阳能逆变器通常直接安装在光伏组件背面,工作环境恶劣,对元器件的高温耐受性、开关损耗和可靠性都提出了严峻挑战。尤其是在MPPT(最大功率点跟踪)和DC-AC转换环节中,MOS需频繁开关,其导通损耗、开关特性以及二极管的反向恢复性能,直接影响整机效率和发热情况。


MDD推出的MDDG10R04P100V N沟道增强型功率MOS,有优异的电气性能和可靠性,成为微型太阳能逆变器中的理想开关器件,帮助系统实现更高转换效率和更长的使用寿命。

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传统MOSFET在高温环境下导通电阻上升明显,开关速度慢,反向恢复电荷(Qrr)大,容易导致效率下降和EMI问题。而MDDG10R04P通过屏蔽栅技术和优化的工艺设计,有效解决了这些痛点。


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01

极低的导通电阻

在VGS=10V、ID=100A的条件下,RDS(ON)最大仅为4.4 mΩ,典型值低至3.2 mΩ。这意味着在相同电流下导通损耗更小,系统温升更低,尤其适用于高温环境下的持续运行。


02

优异的开关性能

开关延迟时间短(开启25ns关闭45ns),上升/下降时间快(tr55nstf16ns

低栅极电荷(Qg≈52nC),驱动简单,可降低驱动电路损耗。


03

出色的体二极管特性

反向恢复电荷(Qrr)仅为100nC;  

反向恢复时间(trr)短至85ns;  

显著降低反向恢复损耗和EMI干扰,适用于高频整流和同步整流应用。



04

高可靠性设计

100%经过UIS测试,抗雪崩能力强;  

工作结温范围-55℃至+150℃,适应户外严苛环境;  

符合RoHS标准,满足环保要求。


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在微型太阳能逆变器中,MOSFET常用于Boost升压电路和全桥/半桥逆变拓扑。MDDG10R04P凭借自身具备的高效率转换更小的散热设计高可靠性良好的EMI特性保障了电路平稳运行。


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除MDDG10R04P外,MDD还新推出一系列MOS针对不同的应用场景,提供多封装如TOLL、PDFN3*3、PDFN5*6、TO-220C-3L、TO-252、TO-263、SOP-8、SOT-26、SOT-23等,以满足各行业匹配需求


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