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新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

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第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。

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第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 

工业级与车规级碳化硅功率器件

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第二代750V CoolSiC™ MOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术,在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位(ANPC)、维也纳整流器和飞跨电容(FCC)等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是,第二代产品显著降低了输出电容(Coss),使其在循环变流器、CLLC、双有源桥(DAB)和LLC等软开关拓扑中能实现更高频率的开关操作。


第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用,包括:车载充电机、DC-DC变换器、DC-AC逆变器,以及人工智能服务器、光伏逆变器和电动汽车充电设备。其采用的Q-DPAK封装既能充分发挥碳化硅固有的高速开关特性,同时确保约20W的功率耗散能力。


产品型号:

 AIMDQ75R016M2H

 AIMDQ75R025M2H

 AIMDQ75R060M2H

 IMDQ75R004M2H

 IMDQ75R007M2H

 IMDQ75R016M2H

 IMDQ75R025M2H

 IMDQ75R060M2H

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产品特点


100%雪崩测试验证

业界领先的RDS(on) × Qfr

优异的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG表现

低Crss/Ciss和高VGS(th)

采用.XT扩散焊

配备驱动源极引脚


应用价值


鲁棒性和可靠性提升

硬开关效率卓越

开关频率更高

抗寄生导通能力出色

行业领先的散热性能

开关损耗显著降低


竞争优势


通过100%雪崩测试,专为汽车与工业应用设计

扩展负栅极驱动电压范围(-7V至-11V)

增强型热性能(高达200℃)

FOM较上一代产品提升20-35%

高VGS(th) + low Crss/Ciss=0V零伏可靠关断

增强型热性能(高达200℃)


应用领域


工业应用场景:

 固态继电器与隔离器

 固态断路器

 电动汽车充电

 光伏

 不间断电源系统UPS

 储能系统ESS

 电池化成

 电信基础设施AC-DC电源转换

 服务器电源单元PSU

汽车电子应用:

 高低压DC-DC变换器

 车载充电OBC

 断路器

  • 高压电池开关

  • 交直流低频开关

  • 高压电子熔断器




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