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英飞凌 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

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英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。

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采用高性能DCB的Easy B系列

CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

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英飞凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiC™ SiC MOSFET增强型1代M1H芯片,集成NTC温度传感器,PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。目标应用直流-直流变换器,电动汽车充电,光伏和储能系统等。


产品型号:

■ FF6MR20W2M1HB70

 F3L6MR20W2M1HB70

图片


产品特点

同类最佳封装,高度为12毫米

先进的WBG材料

模块杂散电感极低

栅源电压范围宽

开关和导同损耗低

过载运行温度最高可达175°C

应用价值


提高系统效率

降低冷却要求

实现更高频率

提高功率密度

紧凑型设计

与1500V直流母线完美匹配


竞争优势


扩展2kV产品组合,为客户提供可扩展的解决方案,满足更高的应用要求

新模块配备了最新的高性能陶瓷(AlN)DCB,有助于延长系统使用寿命和/或支持更高的额定功率


应用领域


直流-直流变换器

电动汽车充电

光伏

储能系统



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