首页 > 资讯 > > 英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有14人订阅
+订阅 已订阅
英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。

新品

采用顶部散热Q-DPAK封装的

CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

图片


英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管,专为各种工业应用开发,包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能,SSCB,人工智能,不间断电源和CAV等。


顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能,更易于组装,从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比,顶部散热器件可实现更优化的PCB布局,从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。


产品型号:

■ IMCQ120R026M2H

 IMCQ120R034M2H

 IMCQ120R040M2H

 IMCQ120R053M2H

 IMCQ120R078M2H

图片


产品特点

SMD顶部散热封装

杂散电感低

CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具有优化的开关性能和FOM因子

.XT扩散焊

最低RDS(on)

封装材料CTI>600

爬电距离>4.8mm

耐湿性

雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

应用价值


更高的功率密度

实现自动装配

不需要太复杂的设计

与底部散热封装相比,具有出色的热性能

改善系统功率损耗

电压有效值950V,污染度为2

可靠性高

降低TCO成本或BOM成本


应用领域


电动汽车充电

太阳能

UPS

SSCB

工业驱动器

人工智能

CAV




upfile


扫描二维码,关注英飞凌工业半导体寻找更多应用或产品信息



点赞 (0)

收藏 (0)

最新文章

查看更多

热门标签

热门文章

唯样公众号二维码

扫描二维码,获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号:oneyac

上一篇:

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

下一篇:

英飞凌碳化硅SiC技术创新的四大支柱综述(一)

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售