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威世 | SOT-227 封装 650 V 和 1200 V SiC 肖特基二极管,提升高频应用效率

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威世科技宣布,推出 16 款采用工业标准 SOT-227 封装的新型 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。


新型碳化硅(SiC)肖特基二极管

  • 40 A 至 240 A 双二极管和单相桥式器件正向压降低至 1.36 V,QC 仅为 56 nC

威世科技宣布,推出 16 款采用工业标准 SOT-227 封装的新型 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管。这些 Vishay 半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率,在同类二极管中,它们在电容电荷(Qc)和正向压降之间实现了出色的平衡。

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日前发布的二极管包括 40 A 至 240 A 的并联双二极管组件,以及 50 A 至 90 A 单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造,正向压降低至 1.36 V,显著减小导通损耗,提高能效。此外,与硅基二极管相比,这些器件具有更好的反向恢复参数,几乎没有恢复尾电流。

这些器件的典型应用包括 AC/DC 功率因数校正(PFC),以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源(UPS)和电信电源的反激式(FBPS)和LLC转换器中的 DC/DC 超高频输出整流。在这些应用环境下,二极管 Q低至 56 nC,可实现高速开关,其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。

这些二极管可在高达 +175 °C 高温下工作,并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过 UL E78996 认证,其特点是端子之间具有较大的爬电距离,以及简化的机械设计,便于快速组装。

器件规格表

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1VR = 400 V
2VR = 800 V

新型 SiC 二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为 18 周


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