IGBT 和 MOSFET 驱动器-延展型 SO-6 封装，实现紧凑设计、快速开关和高压
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型 SO-6 封装的最新 IGBT 和 MOSFET 驱动器。
器件峰值输出电流高达 4 A
工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns
器件峰值输出电流高达 4 A
工作温度高达 +125 °C，传播延迟低至 200 ns
Vishay 推出两种新型 1200 V MOSFET 功率模块，提高汽车、能源、工业和通信系统中高频应用的效率和可靠性。
Vishay 推出一款通过 AEC-Q200 认证的金属化聚丙烯薄膜 DC-Link 电容器，专为汽车、能源和工业应用等严苛环境而设计。
Vishay 推出一款通过 AEC-Q200 认证的金属化聚丙烯薄膜 DC-Link 电容器，专为汽车、能源和工业应用等严苛环境而设计。
Vishay 宣布，推出新系列一类瓷介径向引线高压直插瓷片电容，该系列产品具有低介质损耗因子（DF）和低直流偏压的特性，适用于工业和医疗应用。
无论是电动汽车还是工业自动化，抑或是网络通信设备的电源，为了确保系统可靠而稳定的运行，对于高压电池电路中重要电气参数（如电流和电压）的测量必不可少。
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