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新品 | XSPairFET™ 升降压 MOSFET

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日前,集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商AOS推出了新型XSPairFET™ MOSFET

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AONZ66412 XSPairFET™ 占地面积紧凑,可简化 PCB板内设计,有助于提高功率密度,同时满足高效Type C应用性能需求。



日前,集设计、研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体、芯片及数字电源产品供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS,纳斯达克代码:AOSL)推出了新型XSPairFET™ MOSFET,AONZ66412,专为 USB PD 3.1 扩展功率范围 (EPR) 应用中的升降压转换器而设计。USB PD 3.1 EPR 将 USB-C 端口的功率传输能力提高至240W。而AONZ66412是一款40V对称双通道N 沟道 MOSFET半桥功率模块,集成于5mmx6mm XSPairFET™ 单体封装中,支持最常见的功率范围,在28V工作电压时传输能力高达 140W。


AONZ66412可以取代两个DFN5x6封装MOSFET,在提高能效的同时,减少元器件数量并简化4顆开关升降压架构的设计布局,是Type-C USB 3.1 EPR 应用中(包括笔记本电脑、USB 集线器和移动电源设备)升降压转换器的理想选择。


AONZ66412 采用最新的倒装(bottom source)封装技术,是AOS XSPairFET™系列的扩展。由于降低驱动及功率回路的寄生电感,AONZ66412具有较低的开关节点振铃。采用DFN5x6 XSPairFET™ 封装,AONZ66412集成了高侧和低侧功率 MOSFET(最大导通电阻为 3.8mOhms),低侧MOSFET源极直接连接到PCB上的裸露焊盘,以增强其散热性能。改进的封装寄生参数,使1MHz开关频率运行成为可能,进而有利于减小电感器的尺寸。经过测试,在28V输入电压、17.6V 输出和典型 USB PD 3.1 EPR 1MHz开关频率,8A 负载条件下,AONZ66412可实现高达 97%的效率。



“AOS 专门设计了 AONZ66412 来满足Type C PD 扩展功率范围应用需求,减少电路板占位空间并提高功率密度,帮助设计人员为广泛采用USB-PD Type C 应用实现设定的高效性能目标。AOS依然是升降压架构解决方案的领先创新者”。


—— Rack Tsai

AOS MOSFET产品线市场总监



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