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英飞凌新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

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新品:2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

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CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™ 技术的输出电流能力强,可靠性提高。


产品型号:


· IMYH200R012M1H

· IMYH200R024M1H

· IMYH200R050M1H

· IMYH200R075M1H

· IMYH200R0100M1H


产品特点:


· VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统

· 开关损耗极低

· 创新的HCC封装

· 针脚间爬电距离为14毫米

· 5.4毫米电气间隙

· 栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V

· 用于硬换流的坚固体二极管

· .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

· 高耐湿性


应用价值:


· 市场上首款分立式碳化硅MOSFET器件,阻断电压高达2000V

· 1500V的DC的变流器可以用两电平实现

· 与1700V SiC MOSFET相比,1500 VDC系统具有足够的过压裕量

· 创新的TO-247封装,具有高爬电距离和间隙


应用领域:


· 光伏逆变器

· 储能系统

· 电动汽车充电


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