首页 > 资讯 > > Vishay | 采用源极倒装技术 PowerPAK® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

Vishay | 采用源极倒装技术 PowerPAK® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

订阅可获得最新品牌资讯,品牌资源和促销活动等,已有3人订阅
+订阅 已订阅
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET® 第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。

PowerPAK® 1212-F 封装 30 V N 沟道 MOSFET

  • RDS(ON) 低至 0.71 m

  • 器件采用中央栅极结构 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212‑F 封装

  • 提高系统功率密度,改进热性能


Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET ®  第五代功率 MOSFET,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix  SiSD5300DN  采用源极倒装技术 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK ®  1212-F 封装,10 V 栅极电压条件下导通电阻仅为 0.71 mW,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中 MOSFET 关键的优值系数( FOM )为 42 m*nC,达到业内先进水平。


日前发布的器件占位面积与 PowerPAK 1212-8S 封装相同,导通电阻降低 18 %,提高了功率密度,同时源极倒装技术将热阻从 63 °C/W 降至 56 °C/W。此外,SiSD5300DN 优值系数比上代器件低 35 %,从而降低了导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。

PowerPAK1212-F 源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置,扩大接地焊盘面积,提供更有效的散热路径,有助于降低工作温度。同时,PowerPAK 1212-F 减小了开关区范围,有助于降低迹线噪声的影响。另外,PowerPAK 1212-F 封装源极焊盘尺寸增加了 10 倍,从 0.36 mm2 提高到 4.13 mm2,从而改进热性能。PowerPAK1212-F 中央栅极结构还简化了单层 PCB 基板多器件并联的使用。

采用源极倒装 PowerPAK1212-F 封装的 SiSD5300DN 特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统( BMS )、降压和 BLDC 转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。

图片

器件经过 100 %  RG 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

图片

Vishay 采用源极倒装技术 PowerPAK® 1212-F 封装

30 V N 沟道 MOSFET,RDS(ON) 低至 0.71 m


点赞 (0)

收藏 (0)

最新文章

查看更多

热门标签

热门文章

唯样公众号二维码

扫描二维码,获取更多的唯样商城产品、技术资讯。
公众号:oneyac

上一篇:

ROHM开发出车载一次侧LDO“BD9xxM5-C”, 利用高速负载响应技术“QuiCur™”实现业界超优异的负载响应特性

下一篇:

TE | STRADA Whisper Absolute 高速背板连接器,为112G数据中心全力提速

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售